VS3645GE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3645GE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VS3645GE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3645GE даташит

 ..1. Size:1117K  cn vgsemi
vs3645ge.pdfpdf_icon

VS3645GE

VS3645GE 30V/16A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 13.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 23 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 22 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 16 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3645GE PDFN3333

 7.1. Size:979K  cn vgsemi
vs3645ga.pdfpdf_icon

VS3645GE

VS3645GA 30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 15 m R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 23 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 10 A Low Gate Charge DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3645GA DFN2x2x0.75-6L 3645 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Ratin

 8.1. Size:1068K  cn vgsemi
vs3645de-g.pdfpdf_icon

VS3645GE

VS3645DE-G 30V/12A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 22 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 20 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 12 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Pac

 9.1. Size:493K  cn vanguard
vs3640ds.pdfpdf_icon

VS3645GE

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

Другие IGBT... VS3640AA, VS3640AC, VS3640AD, VS3640AE, VS3640AS, VS3640AT, VS3640BC, VS3645GA, IRLZ44N, VS3646ACL, VS3646ACM, VS3647DB, VS3652DB, VS3662DB, VS3698AD, VS3698AE, VS3698AP