VS3652DB Todos los transistores

 

VS3652DB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3652DB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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VS3652DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1070K  cn vgsemi
 vs3652db.pdf pdf_icon

VS3652DB

VS3652DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.2 6.5 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 11 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond Limited) 24 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedDFN3x3Part ID Package Type Marking PackingVS3652DB DFN3x3 3652DB 5000pcs/ReelMaximum ratings, at

Otros transistores... VS3640AS , VS3640AT , VS3640BC , VS3645GA , VS3645GE , VS3646ACL , VS3646ACM , VS3647DB , IRF3710 , VS3662DB , VS3698AD , VS3698AE , VS3698AP , VS3698AT , VS3803GPMT , VS3817GA , VS3817GPMT .

History: PSMN6R5-30MLD | IRFS9N60APBF | AO4447 | HY110N06T | IPB100N04S2-04 | FQI9N50TU | MS49P63

 

 
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