Справочник MOSFET. VS3652DB

 

VS3652DB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3652DB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для VS3652DB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3652DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1070K  cn vgsemi
 vs3652db.pdf pdf_icon

VS3652DB

VS3652DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.2 6.5 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 11 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond Limited) 24 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedDFN3x3Part ID Package Type Marking PackingVS3652DB DFN3x3 3652DB 5000pcs/ReelMaximum ratings, at

Другие MOSFET... VS3640AS , VS3640AT , VS3640BC , VS3645GA , VS3645GE , VS3646ACL , VS3646ACM , VS3647DB , IRF3710 , VS3662DB , VS3698AD , VS3698AE , VS3698AP , VS3698AT , VS3803GPMT , VS3817GA , VS3817GPMT .

History: STF32N65M5 | 2SK1206 | IXTH90P10P

 

 
Back to Top

 


 
.