VS3652DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3652DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для VS3652DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3652DB даташит

 ..1. Size:1070K  cn vgsemi
 vs3652db.pdf pdf_icon

VS3652DB

VS3652DB 30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.2 6.5 m Dual Asymmetric N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 11 m VitoMOS Technology I D(Wire bond Limited) 24 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested DFN3x3 Part ID Package Type Marking Packing VS3652DB DFN3x3 3652DB 5000pcs/Reel Maximum ratings, at

Другие IGBT... VS3640AS, VS3640AT, VS3640BC, VS3645GA, VS3645GE, VS3646ACL, VS3646ACM, VS3647DB, AO3400, VS3662DB, VS3698AD, VS3698AE, VS3698AP, VS3698AT, VS3803GPMT, VS3817GA, VS3817GPMT