VS3698AD Todos los transistores

 

VS3698AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3698AD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS3698AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:875K  cn vgsemi
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VS3698AD

VS3698AD30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.9 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.5 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 80 A 100% Avalanche TestedTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS3698AD TO-252 3698AD 2500pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise s

 7.1. Size:1237K  cn vgsemi
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VS3698AD

VS3698AP30V/105A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.1 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.5 m Enhancement modeI D 105 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking Packing

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VS3698AD

VS3698AT30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.7 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 110 A Fast Switching and High efficiencyTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3698AT TO-220AB 3

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VS3698AD

VS3698AE30V/76A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.0 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.4 m Very low on-resistanceI D 76 A Fast Switching 100% Avalanche TestedPDFN3333 100% 1x reflow implemented in semiconductor assembly processPart ID Package Type Marking PackingVS3698AE PDFN3333 3698AE 5000PCS/Reel

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History: STP33N65M2 | STP55N06L | BUZ358 | RFL1N10L

 

 
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