VS3698AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3698AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для VS3698AD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3698AD даташит

 ..1. Size:875K  cn vgsemi
 vs3698ad.pdf pdf_icon

VS3698AD

VS3698AD 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.9 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.5 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 80 A 100% Avalanche Tested TO-252 Part ID Package Type Marking Packing VS3698AD TO-252 3698AD 2500pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise s

 7.1. Size:1237K  cn vgsemi
 vs3698ap.pdf pdf_icon

VS3698AD

VS3698AP 30V/105A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.1 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.5 m Enhancement mode I D 105 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN5x6 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing

 7.2. Size:1055K  cn vgsemi
 vs3698at.pdf pdf_icon

VS3698AD

VS3698AT 30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.7 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 110 A Fast Switching and High efficiency TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3698AT TO-220AB 3

 7.3. Size:1231K  cn vgsemi
 vs3698ae.pdf pdf_icon

VS3698AD

VS3698AE 30V/76A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.0 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.4 m Very low on-resistance I D 76 A Fast Switching 100% Avalanche Tested PDFN3333 100% 1x reflow implemented in semiconductor assembly process Part ID Package Type Marking Packing VS3698AE PDFN3333 3698AE 5000PCS/Reel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3640BC, VS3645GA, VS3645GE, VS3646ACL, VS3646ACM, VS3647DB, VS3652DB, VS3662DB, IRF3710, VS3698AE, VS3698AP, VS3698AT, VS3803GPMT, VS3817GA, VS3817GPMT, VS3820GA2, VS3825GPMC