VS3803GPMT Todos los transistores

 

VS3803GPMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3803GPMT
   Código: 3803GPM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 176 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 94 nC
   Tiempo de subida (tr): 97 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4035 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6

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VS3803GPMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1260K  cn vgsemi
vs3803gpmt.pdf

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VS3803GPMT30V/176A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.3 m VitoMOS TechnologI D(Silicon limited) 176 A Ultra Low RDS(on) to minimize conduction lossesPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPar

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