VS3803GPMT Todos los transistores

 

VS3803GPMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3803GPMT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 176 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 97 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4035 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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VS3803GPMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1260K  cn vgsemi
 vs3803gpmt.pdf pdf_icon

VS3803GPMT

VS3803GPMT30V/176A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.3 m VitoMOS TechnologI D(Silicon limited) 176 A Ultra Low RDS(on) to minimize conduction lossesPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPar

Otros transistores... VS3646ACM , VS3647DB , VS3652DB , VS3662DB , VS3698AD , VS3698AE , VS3698AP , VS3698AT , IRF9540 , VS3817GA , VS3817GPMT , VS3820GA2 , VS3825GPMC , VS40200AD , VS40200AP , VS40200ATD , VS4401AKH .

History: SIA413DJ | 4N80G-TF3-T | IRHLNM77110 | GSM4953S | FHP8N60A | FCB125N65S3 | 5N65KG-TF2-T

 

 
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