VS3803GPMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS3803GPMT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 176 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 97 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4035 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
VS3803GPMT Datasheet (PDF)
vs3803gpmt.pdf

VS3803GPMT30V/176A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.3 m VitoMOS TechnologI D(Silicon limited) 176 A Ultra Low RDS(on) to minimize conduction lossesPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPar
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History: FDMS2572 | STK730F | BF353 | IRF6617 | BLP03N10-T | AOB7S60L | ET8205A
History: FDMS2572 | STK730F | BF353 | IRF6617 | BLP03N10-T | AOB7S60L | ET8205A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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