VS3803GPMT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3803GPMT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 176 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 97 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4035 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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VS3803GPMT datasheet

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VS3803GPMT

VS3803GPMT 30V/176A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 0.8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.3 m VitoMOS Technolog I D(Silicon limited) 176 A Ultra Low RDS(on) to minimize conduction losses PDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Par

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