Справочник MOSFET. VS3803GPMT

 

VS3803GPMT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3803GPMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 176 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4035 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для VS3803GPMT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3803GPMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1260K  cn vgsemi
 vs3803gpmt.pdf pdf_icon

VS3803GPMT

VS3803GPMT30V/176A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.3 m VitoMOS TechnologI D(Silicon limited) 176 A Ultra Low RDS(on) to minimize conduction lossesPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPar

Другие MOSFET... VS3646ACM , VS3647DB , VS3652DB , VS3662DB , VS3698AD , VS3698AE , VS3698AP , VS3698AT , IRF9540 , VS3817GA , VS3817GPMT , VS3820GA2 , VS3825GPMC , VS40200AD , VS40200AP , VS40200ATD , VS4401AKH .

History: TPA65R170M

 

 
Back to Top

 


 
.