Справочник MOSFET. VS3803GPMT

 

VS3803GPMT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3803GPMT
   Маркировка: 3803GPM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 176 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 94 nC
   trⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4035 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3803GPMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1260K  cn vgsemi
 vs3803gpmt.pdf pdf_icon

VS3803GPMT

VS3803GPMT30V/176A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.3 m VitoMOS TechnologI D(Silicon limited) 176 A Ultra Low RDS(on) to minimize conduction lossesPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPar

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CS2N70HD | BSG0813NDI | VN1206N1 | FQP7N40 | AOB7S60L

 

 
Back to Top

 


 
.