VS3803GPMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3803GPMT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 176 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4035 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS3803GPMT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3803GPMT даташит

 ..1. Size:1260K  cn vgsemi
 vs3803gpmt.pdf pdf_icon

VS3803GPMT

VS3803GPMT 30V/176A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 0.8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.3 m VitoMOS Technolog I D(Silicon limited) 176 A Ultra Low RDS(on) to minimize conduction losses PDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Par

Другие IGBT... VS3646ACM, VS3647DB, VS3652DB, VS3662DB, VS3698AD, VS3698AE, VS3698AP, VS3698AT, 2N7000, VS3817GA, VS3817GPMT, VS3820GA2, VS3825GPMC, VS40200AD, VS40200AP, VS40200ATD, VS4401AKH