VS4802GPMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS4802GPMT
Código: 4802GPM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 74 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 215 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 153 nC
Tiempo de subida (tr): 88 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1925 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.001 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS4802GPMT
VS4802GPMT Datasheet (PDF)
vs4802gpmt.pdf
VS4802GPMT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.1 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 215 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking
vs4802gpht.pdf
VS4802GPHT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 215 A Ultra low on-resistanceI D(Package Limited) 200 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking Pa
vs4802gkm.pdf
VS4802GKM40V/240A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.92 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.35 m Ultra low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 240 A VitoMOS TechnologyTOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses
vs4802gmm.pdf
VS4802GMM40V/135A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.2 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.6 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 135 A VitoMOS TechnologyTO-263 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
