VS4802GPMT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS4802GPMT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 215 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1925 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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VS4802GPMT datasheet

 ..1. Size:1140K  cn vgsemi
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VS4802GPMT

VS4802GPMT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.1 m Ultra low on-resistance I D(Silicon Limited) 215 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking

 6.1. Size:975K  cn vgsemi
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VS4802GPMT

VS4802GPHT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 215 A Ultra low on-resistance I D(Package Limited) 200 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Pa

 7.1. Size:1314K  cn vgsemi
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VS4802GPMT

VS4802GKM 40V/240A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.92 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.35 m Ultra low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 240 A VitoMOS Technology TOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses

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VS4802GPMT

VS4802GMM 40V/135A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.2 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.6 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 135 A VitoMOS Technology TO-263 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part I

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