Справочник MOSFET. VS4802GPMT

 

VS4802GPMT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS4802GPMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 215 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1925 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для VS4802GPMT

 

 

VS4802GPMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1140K  cn vgsemi
 vs4802gpmt.pdf

VS4802GPMT VS4802GPMT

VS4802GPMT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.1 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 215 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking

 6.1. Size:975K  cn vgsemi
 vs4802gpht.pdf

VS4802GPMT VS4802GPMT

VS4802GPHT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 215 A Ultra low on-resistanceI D(Package Limited) 200 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking Pa

 7.1. Size:1314K  cn vgsemi
 vs4802gkm.pdf

VS4802GPMT VS4802GPMT

VS4802GKM40V/240A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.92 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.35 m Ultra low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 240 A VitoMOS TechnologyTOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses

 7.2. Size:996K  cn vgsemi
 vs4802gmm.pdf

VS4802GPMT VS4802GPMT

VS4802GMM40V/135A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.2 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.6 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 135 A VitoMOS TechnologyTO-263 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top