VS4802GPMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS4802GPMT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 215 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1925 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS4802GPMT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4802GPMT даташит

 ..1. Size:1140K  cn vgsemi
 vs4802gpmt.pdf pdf_icon

VS4802GPMT

VS4802GPMT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.1 m Ultra low on-resistance I D(Silicon Limited) 215 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking

 6.1. Size:975K  cn vgsemi
 vs4802gpht.pdf pdf_icon

VS4802GPMT

VS4802GPHT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 215 A Ultra low on-resistance I D(Package Limited) 200 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Pa

 7.1. Size:1314K  cn vgsemi
 vs4802gkm.pdf pdf_icon

VS4802GPMT

VS4802GKM 40V/240A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.92 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.35 m Ultra low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 240 A VitoMOS Technology TOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses

 7.2. Size:996K  cn vgsemi
 vs4802gmm.pdf pdf_icon

VS4802GPMT

VS4802GMM 40V/135A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.2 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.6 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 135 A VitoMOS Technology TO-263 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS4622DE, VS4640AC, VS4646ACM, VS4698AP, VS4698DP, VS4802GKM, VS4802GMM, VS4802GPHT, AO3407, VS6614DS, VS6614DS-K, VSA030C03LD, VSA030C03MD, VSD003N04MS-G, VSD005N03MS, VSD007N04MS-G, VSD020C04MC