VS4802GPMT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VS4802GPMT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 215 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1925 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для VS4802GPMT
VS4802GPMT Datasheet (PDF)
vs4802gpmt.pdf

VS4802GPMT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.1 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 215 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking
vs4802gpht.pdf

VS4802GPHT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 215 A Ultra low on-resistanceI D(Package Limited) 200 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking Pa
vs4802gkm.pdf

VS4802GKM40V/240A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.92 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.35 m Ultra low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 240 A VitoMOS TechnologyTOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses
vs4802gmm.pdf

VS4802GMM40V/135A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.2 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.6 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 135 A VitoMOS TechnologyTO-263 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I
Другие MOSFET... VS4622DE , VS4640AC , VS4646ACM , VS4698AP , VS4698DP , VS4802GKM , VS4802GMM , VS4802GPHT , 7N60 , VS6614DS , VS6614DS-K , VSA030C03LD , VSA030C03MD , VSD003N04MS-G , VSD005N03MS , VSD007N04MS-G , VSD020C04MC .
History: BSC046N02KSG | 4N60KL-TMS2-T | MT4435ACTR | SSF2814E | AP02N60P-HF | SSF2810EH2 | SRC65R220BS
History: BSC046N02KSG | 4N60KL-TMS2-T | MT4435ACTR | SSF2814E | AP02N60P-HF | SSF2810EH2 | SRC65R220BS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20