VSA030C03LD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSA030C03LD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: DFN2X3-8L

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VSA030C03LD datasheet

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VSA030C03LD

VSA030C03LD 30V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 4.5 V 33 60 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 2.5V 40 77 m Enhancement mode I D 6 -4.7 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS= 2.5 V DFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID

 5.1. Size:1352K  cn vgsemi
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VSA030C03LD

VSA030C03MD 30V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 10 V 21 52 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 4.5V 28 61 m Enhancement mode I D 8 -5 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS= 4.5 V DFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Pa

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