VSA030C03LD Todos los transistores

 

VSA030C03LD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSA030C03LD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3-8L
 

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VSA030C03LD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1341K  cn vgsemi
 vsa030c03ld.pdf pdf_icon

VSA030C03LD

VSA030C03LD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 33 60 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=2.5V 40 77 m Enhancement modeI D 6 -4.7 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VDFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID

 5.1. Size:1352K  cn vgsemi
 vsa030c03md.pdf pdf_icon

VSA030C03LD

VSA030C03MD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 21 52 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 28 61 m Enhancement modeI D 8 -5 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VDFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Pa

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History: FQU30N06LTU | SQJ850EP | PMXB360ENEA | PT530BA | BUK969R0-60E | PJF5NA50 | IRFS7762PBF

 

 
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