VSA030C03LD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSA030C03LD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3-8L

Аналог (замена) для VSA030C03LD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSA030C03LD даташит

 ..1. Size:1341K  cn vgsemi
 vsa030c03ld.pdf pdf_icon

VSA030C03LD

VSA030C03LD 30V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 4.5 V 33 60 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 2.5V 40 77 m Enhancement mode I D 6 -4.7 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS= 2.5 V DFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID

 5.1. Size:1352K  cn vgsemi
 vsa030c03md.pdf pdf_icon

VSA030C03LD

VSA030C03MD 30V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 10 V 21 52 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 4.5V 28 61 m Enhancement mode I D 8 -5 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS= 4.5 V DFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Pa

Другие IGBT... VS4698AP, VS4698DP, VS4802GKM, VS4802GMM, VS4802GPHT, VS4802GPMT, VS6614DS, VS6614DS-K, IRF520, VSA030C03MD, VSD003N04MS-G, VSD005N03MS, VSD007N04MS-G, VSD020C04MC, VSE002N03MS-G, VSE003N04MSC-G, VSE003N04MS-G