Справочник MOSFET. VSA030C03LD

 

VSA030C03LD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VSA030C03LD
   Маркировка: 030C03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3-8L

 Аналог (замена) для VSA030C03LD

 

 

VSA030C03LD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1341K  cn vgsemi
 vsa030c03ld.pdf

VSA030C03LD VSA030C03LD

VSA030C03LD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 33 60 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=2.5V 40 77 m Enhancement modeI D 6 -4.7 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VDFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID

 5.1. Size:1352K  cn vgsemi
 vsa030c03md.pdf

VSA030C03LD VSA030C03LD

VSA030C03MD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 21 52 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 28 61 m Enhancement modeI D 8 -5 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VDFN2x3-8L Fast Switching and High efficiency High Power and Current Handing Capability Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Pa

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top