VSD003N04MS-G Todos los transistores

 

VSD003N04MS-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSD003N04MS-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de VSD003N04MS-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VSD003N04MS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1017K  cn vgsemi
 vsd003n04ms-g.pdf pdf_icon

VSD003N04MS-G

VSD003N04MS-G40V/58A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 58 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedTO-252 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I

 9.1. Size:1027K  cn vanguard
 vsd007n06ms.pdf pdf_icon

VSD003N04MS-G

VSD007N06MS 60V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.0 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.0 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel informat

 9.2. Size:284K  cn vanguard
 vsd004n03ms.pdf pdf_icon

VSD003N04MS-G

VSD004N03MS 30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.2 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.8 m Enhancement mode I D 150 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking infor

 9.3. Size:1056K  cn vgsemi
 vsd005n03ms.pdf pdf_icon

VSD003N04MS-G

VSD005N03MS30V/105A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.4 m Enhancement modeI D 105 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSD005N03MS TO-252 005

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VS4802GKM , VS4802GMM , VS4802GPHT , VS4802GPMT , VS6614DS , VS6614DS-K , VSA030C03LD , VSA030C03MD , IRF2807 , VSD005N03MS , VSD007N04MS-G , VSD020C04MC , VSE002N03MS-G , VSE003N04MSC-G , VSE003N04MS-G , VSE004N04MS , VSE005N03MS .

History: SST202 | SM360R65CT2TL

 

 
Back to Top

 


 
.