Справочник MOSFET. VSD003N04MS-G

 

VSD003N04MS-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VSD003N04MS-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для VSD003N04MS-G

 

 

VSD003N04MS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1017K  cn vgsemi
 vsd003n04ms-g.pdf

VSD003N04MS-G VSD003N04MS-G

VSD003N04MS-G40V/58A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 58 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedTO-252 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I

 9.1. Size:1027K  cn vanguard
 vsd007n06ms.pdf

VSD003N04MS-G VSD003N04MS-G

VSD007N06MS 60V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.0 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.0 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel informat

 9.2. Size:284K  cn vanguard
 vsd004n03ms.pdf

VSD003N04MS-G VSD003N04MS-G

VSD004N03MS 30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.2 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.8 m Enhancement mode I D 150 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking infor

 9.3. Size:1056K  cn vgsemi
 vsd005n03ms.pdf

VSD003N04MS-G VSD003N04MS-G

VSD005N03MS30V/105A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.4 m Enhancement modeI D 105 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSD005N03MS TO-252 005

 9.4. Size:950K  cn vgsemi
 vsd007n04ms-g.pdf

VSD003N04MS-G VSD003N04MS-G

VSD007N04MS-G40V/90A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.3 m Very low on-resistance RDS(on)I D 90 A VitoMOS TechnologyTO-252 Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVSD007N04MS-G TO-252 007N04M 2500PCS/ReelMax

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top