VSD020C04MC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSD020C04MC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TO252-4L

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VSD020C04MC datasheet

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VSD020C04MC

VSD020C04MC 40V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 -40 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 10 V 12 30 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 4.5V 18 50 m Enhancement mode I D 40 -25 A Very low on-resistance Fast Switching and High efficiency TO-252-4L 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VSD020C

Otros transistores... VS4802GPMT, VS6614DS, VS6614DS-K, VSA030C03LD, VSA030C03MD, VSD003N04MS-G, VSD005N03MS, VSD007N04MS-G, 8N60, VSE002N03MS-G, VSE003N04MSC-G, VSE003N04MS-G, VSE004N04MS, VSE005N03MS, VSE006N03MSC-G, VSE007N04MS-G, VSE008N03LS