Справочник MOSFET. VSD020C04MC

 

VSD020C04MC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSD020C04MC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VSD020C04MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1340K  cn vgsemi
 vsd020c04mc.pdf pdf_icon

VSD020C04MC

VSD020C04MC40V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 -40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 12 30 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 18 50 m Enhancement modeI D 40 -25 A Very low on-resistance Fast Switching and High efficiencyTO-252-4L 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSD020C

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1982 | DMN33D8LDW | 2SK3572-Z | IRHY597034CM | RU40L60M | QM2409J | RTR025N05T

 

 
Back to Top

 


 
.