VSD020C04MC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSD020C04MC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO252-4L

Аналог (замена) для VSD020C04MC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSD020C04MC даташит

 ..1. Size:1340K  cn vgsemi
 vsd020c04mc.pdf pdf_icon

VSD020C04MC

VSD020C04MC 40V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 -40 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 10 V 12 30 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 4.5V 18 50 m Enhancement mode I D 40 -25 A Very low on-resistance Fast Switching and High efficiency TO-252-4L 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VSD020C

Другие IGBT... VS4802GPMT, VS6614DS, VS6614DS-K, VSA030C03LD, VSA030C03MD, VSD003N04MS-G, VSD005N03MS, VSD007N04MS-G, 8N60, VSE002N03MS-G, VSE003N04MSC-G, VSE003N04MS-G, VSE004N04MS, VSE005N03MS, VSE006N03MSC-G, VSE007N04MS-G, VSE008N03LS