Справочник MOSFET. VSD020C04MC

 

VSD020C04MC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSD020C04MC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
 

 Аналог (замена) для VSD020C04MC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSD020C04MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1340K  cn vgsemi
 vsd020c04mc.pdf pdf_icon

VSD020C04MC

VSD020C04MC40V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 -40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 12 30 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 18 50 m Enhancement modeI D 40 -25 A Very low on-resistance Fast Switching and High efficiencyTO-252-4L 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSD020C

Другие MOSFET... VS4802GPMT , VS6614DS , VS6614DS-K , VSA030C03LD , VSA030C03MD , VSD003N04MS-G , VSD005N03MS , VSD007N04MS-G , K2611 , VSE002N03MS-G , VSE003N04MSC-G , VSE003N04MS-G , VSE004N04MS , VSE005N03MS , VSE006N03MSC-G , VSE007N04MS-G , VSE008N03LS .

History: AO3415A | 2SK2162 | VBA1310S | BUK9M53-60E | AS2305 | APT8M100S

 

 
Back to Top

 


 
.