Справочник MOSFET. VSD020C04MC

 

VSD020C04MC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VSD020C04MC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L

 Аналог (замена) для VSD020C04MC

 

 

VSD020C04MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1340K  cn vgsemi
 vsd020c04mc.pdf

VSD020C04MC VSD020C04MC

VSD020C04MC40V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 -40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 12 30 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 18 50 m Enhancement modeI D 40 -25 A Very low on-resistance Fast Switching and High efficiencyTO-252-4L 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSD020C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top