VSE044C03MD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VSE044C03MD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VSE044C03MD

VSE044C03MD Datasheet (PDF)

..1. Size:1224K cn vgsemi
vse044c03md.pdf

VSE044C03MD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 24 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 14 38 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 12 -12 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333 DualPart ID Package Type Marking PackingVSE044C03MD PDFN3333 Dual 044C03M 5000pcs/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: