VSE044C03MD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VSE044C03MD
   Código: 044C03M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

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VSE044C03MD Datasheet (PDF)

..1. Size:1224K cn vgsemi
vse044c03md.pdf

VSE044C03MD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 24 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 14 38 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 12 -12 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333 DualPart ID Package Type Marking PackingVSE044C03MD PDFN3333 Dual 044C03M 5000pcs/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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