VSE044C03MD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSE044C03MD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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VSE044C03MD datasheet

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VSE044C03MD

VSE044C03MD 30V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 10 V 10 24 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 4.5V 14 38 m Enhancement mode I D(Wire bond Limited) 12 -12 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Dual Part ID Package Type Marking Packing VSE044C03MD PDFN3333 Dual 044C03M 5000pcs/Reel Maximum ratings, at TA =25 C,

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