VSE044C03MD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSE044C03MD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VSE044C03MD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSE044C03MD даташит

 ..1. Size:1224K  cn vgsemi
 vse044c03md.pdf pdf_icon

VSE044C03MD

VSE044C03MD 30V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 10 V 10 24 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 4.5V 14 38 m Enhancement mode I D(Wire bond Limited) 12 -12 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Dual Part ID Package Type Marking Packing VSE044C03MD PDFN3333 Dual 044C03M 5000pcs/Reel Maximum ratings, at TA =25 C,

Другие IGBT... VSE003N04MSC-G, VSE003N04MS-G, VSE004N04MS, VSE005N03MS, VSE006N03MSC-G, VSE007N04MS-G, VSE008N03LS, VSE008NE2LS, IRF830, VSE2R5N03MS, VSO007N04MS-G, VSP002N03MS, VSP002N03MS-G, VSP002N03MST-G, VSP003N04HS-G, VSP003N04MS-G, VSP003N04MST-G