VSE044C03MD - аналоги и даташиты транзистора

 

VSE044C03MD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VSE044C03MD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VSE044C03MD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSE044C03MD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1224K  cn vgsemi
 vse044c03md.pdf pdf_icon

VSE044C03MD

VSE044C03MD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 24 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 14 38 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 12 -12 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333 DualPart ID Package Type Marking PackingVSE044C03MD PDFN3333 Dual 044C03M 5000pcs/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

Другие MOSFET... VSE003N04MSC-G , VSE003N04MS-G , VSE004N04MS , VSE005N03MS , VSE006N03MSC-G , VSE007N04MS-G , VSE008N03LS , VSE008NE2LS , IRF1405 , VSE2R5N03MS , VSO007N04MS-G , VSP002N03MS , VSP002N03MS-G , VSP002N03MST-G , VSP003N04HS-G , VSP003N04MS-G , VSP003N04MST-G .

 

 
Back to Top

 


 
.