Справочник MOSFET. VSE044C03MD

 

VSE044C03MD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VSE044C03MD
   Маркировка: 044C03M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333

 Аналог (замена) для VSE044C03MD

 

 

VSE044C03MD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1224K  cn vgsemi
 vse044c03md.pdf

VSE044C03MD VSE044C03MD

VSE044C03MD30V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 -30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 24 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 14 38 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 12 -12 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333 DualPart ID Package Type Marking PackingVSE044C03MD PDFN3333 Dual 044C03M 5000pcs/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top