VSE2R5N03MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VSE2R5N03MS
   Código: 2R5N03M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

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VSE2R5N03MS Datasheet (PDF)

..1. Size:992K cn vgsemi
vse2r5n03ms.pdf

VSE2R5N03MS30V/48A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 48 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVSE2R5N03MS PDFN3333 2R5N03M 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =

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Liste

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