VSE2R5N03MS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSE2R5N03MS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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VSE2R5N03MS datasheet

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VSE2R5N03MS

VSE2R5N03MS 30V/48A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 48 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VSE2R5N03MS PDFN3333 2R5N03M 5000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =

Otros transistores... VSE003N04MS-G, VSE004N04MS, VSE005N03MS, VSE006N03MSC-G, VSE007N04MS-G, VSE008N03LS, VSE008NE2LS, VSE044C03MD, IRLB3034, VSO007N04MS-G, VSP002N03MS, VSP002N03MS-G, VSP002N03MST-G, VSP003N04HS-G, VSP003N04MS-G, VSP003N04MST-G, VSP005N03MS