VSE2R5N03MS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSE2R5N03MS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VSE2R5N03MS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSE2R5N03MS даташит

 ..1. Size:992K  cn vgsemi
 vse2r5n03ms.pdf pdf_icon

VSE2R5N03MS

VSE2R5N03MS 30V/48A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 48 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VSE2R5N03MS PDFN3333 2R5N03M 5000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =

Другие IGBT... VSE003N04MS-G, VSE004N04MS, VSE005N03MS, VSE006N03MSC-G, VSE007N04MS-G, VSE008N03LS, VSE008NE2LS, VSE044C03MD, IRLB3034, VSO007N04MS-G, VSP002N03MS, VSP002N03MS-G, VSP002N03MST-G, VSP003N04HS-G, VSP003N04MS-G, VSP003N04MST-G, VSP005N03MS