Справочник MOSFET. VSE2R5N03MS

 

VSE2R5N03MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSE2R5N03MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VSE2R5N03MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSE2R5N03MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  cn vgsemi
 vse2r5n03ms.pdf pdf_icon

VSE2R5N03MS

VSE2R5N03MS30V/48A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 48 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVSE2R5N03MS PDFN3333 2R5N03M 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =

Другие MOSFET... VSE003N04MS-G , VSE004N04MS , VSE005N03MS , VSE006N03MSC-G , VSE007N04MS-G , VSE008N03LS , VSE008NE2LS , VSE044C03MD , 60N06 , VSO007N04MS-G , VSP002N03MS , VSP002N03MS-G , VSP002N03MST-G , VSP003N04HS-G , VSP003N04MS-G , VSP003N04MST-G , VSP005N03MS .

History: HAT1048R | RUH85100M-C | NP160N04TUJ | 2SK3512-01S | IPB020N10N5LF | SWX090R15ET | AFP1073

 

 
Back to Top

 


 
.