VSP040C04MD Todos los transistores

 

VSP040C04MD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSP040C04MD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

VSP040C04MD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1438K  cn vgsemi
 vsp040c04md.pdf pdf_icon

VSP040C04MD

VSP040C04MD40V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 -40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 26 28 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 40 43 m Enhancement modeI D 20 -22 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSP040C04MD PD

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PZ0703EK | TK20V60W5 | SGO100N08L | IPI09N03LA | BUK9840-55 | BUK7207-30B | SE4N65

 

 
Back to Top

 


 
.