VSP040C04MD Todos los transistores

 

VSP040C04MD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSP040C04MD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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VSP040C04MD datasheet

 ..1. Size:1438K  cn vgsemi
 vsp040c04md.pdf pdf_icon

VSP040C04MD

VSP040C04MD 40V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 -40 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 10 V 26 28 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 4.5V 40 43 m Enhancement mode I D 20 -22 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS= 4.5 V Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VSP040C04MD PD

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