VSP040C04MD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VSP040C04MD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для VSP040C04MD
VSP040C04MD Datasheet (PDF)
vsp040c04md.pdf

VSP040C04MD40V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 -40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 26 28 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 40 43 m Enhancement modeI D 20 -22 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSP040C04MD PD
Другие MOSFET... VSP002N03MS-G , VSP002N03MST-G , VSP003N04HS-G , VSP003N04MS-G , VSP003N04MST-G , VSP005N03MS , VSP007N04MS-G , VSP008C03MD , 5N50 , VSP0R8N04HS-G , VSP1R1N04HS-G , VSP1R4N04HS-G , JCS740VC , JCS740RC , JCS740SC , JCS740BC , JCS740CC .
History: 2N7272R2 | GSM4210W | 2SJ195 | 2SK868 | BUK9Y29-40E | TK5P50D | SRM6N60DTR
History: 2N7272R2 | GSM4210W | 2SJ195 | 2SK868 | BUK9Y29-40E | TK5P50D | SRM6N60DTR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318