Справочник MOSFET. VSP040C04MD

 

VSP040C04MD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSP040C04MD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP040C04MD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1438K  cn vgsemi
 vsp040c04md.pdf pdf_icon

VSP040C04MD

VSP040C04MD40V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 -40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 26 28 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 40 43 m Enhancement modeI D 20 -22 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSP040C04MD PD

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SFS10R055DNF | NCEP026N10F | FHP1906A | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.