VSP040C04MD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VSP040C04MD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VSP040C04MD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP040C04MD даташит

 ..1. Size:1438K  cn vgsemi
 vsp040c04md.pdf pdf_icon

VSP040C04MD

VSP040C04MD 40V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 -40 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 10 V 26 28 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 4.5V 40 43 m Enhancement mode I D 20 -22 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS= 4.5 V Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VSP040C04MD PD

Другие IGBT... VSP002N03MS-G, VSP002N03MST-G, VSP003N04HS-G, VSP003N04MS-G, VSP003N04MST-G, VSP005N03MS, VSP007N04MS-G, VSP008C03MD, IRFP064N, VSP0R8N04HS-G, VSP1R1N04HS-G, VSP1R4N04HS-G, JCS740VC, JCS740RC, JCS740SC, JCS740BC, JCS740CC