VSP040C04MD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VSP040C04MD
Маркировка: 040C04MD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 18 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.5 nC
Время нарастания (tr): 5.4 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.037 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для VSP040C04MD
VSP040C04MD Datasheet (PDF)
..1. Size:1438K cn vgsemi
vsp040c04md.pdf
vsp040c04md.pdf
VSP040C04MD40V N+P Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 -40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 26 28 m N+P ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 40 43 m Enhancement modeI D 20 -22 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSP040C04MD PD
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
