VSP0R8N04HS-G Todos los transistores

 

VSP0R8N04HS-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSP0R8N04HS-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2535 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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VSP0R8N04HS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1036K  cn vgsemi
 vsp0r8n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP0R8N04HS-G

VSP0R8N04HS-G40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.76 m Enhancement modeI D(Package Limited) 200 A Ultra low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVSP0R8N04HS-G PDF

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History: AUIRF7736M2TR1 | NTD4804NA-1G

 

 
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