VSP0R8N04HS-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VSP0R8N04HS-G
Código: 0R8N04H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 85 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2535 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VSP0R8N04HS-G
VSP0R8N04HS-G Datasheet (PDF)
vsp0r8n04hs-g.pdf
VSP0R8N04HS-G40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.76 m Enhancement modeI D(Package Limited) 200 A Ultra low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVSP0R8N04HS-G PDF
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Liste
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