VSP0R8N04HS-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSP0R8N04HS-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2535 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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VSP0R8N04HS-G datasheet

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VSP0R8N04HS-G

VSP0R8N04HS-G 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 0.76 m Enhancement mode I D(Package Limited) 200 A Ultra low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing VSP0R8N04HS-G PDF

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