Справочник MOSFET. VSP0R8N04HS-G

 

VSP0R8N04HS-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSP0R8N04HS-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2535 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP0R8N04HS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1036K  cn vgsemi
 vsp0r8n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP0R8N04HS-G

VSP0R8N04HS-G40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.76 m Enhancement modeI D(Package Limited) 200 A Ultra low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVSP0R8N04HS-G PDF

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: QM2418Y1 | UT2316G-AE3-R | JCS2N70FH | SFT1440 | NP90N055VUG | ELM32434LA | KNP2708A

 

 
Back to Top

 


 
.