VSP0R8N04HS-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VSP0R8N04HS-G
Маркировка: 0R8N04H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 66 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
Время нарастания (tr): 112 ns
Выходная емкость (Cd): 2535 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00095 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для VSP0R8N04HS-G
VSP0R8N04HS-G Datasheet (PDF)
..1. Size:1036K cn vgsemi
vsp0r8n04hs-g.pdf
vsp0r8n04hs-g.pdf
VSP0R8N04HS-G40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.76 m Enhancement modeI D(Package Limited) 200 A Ultra low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVSP0R8N04HS-G PDF
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
