VSP0R8N04HS-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSP0R8N04HS-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2535 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VSP0R8N04HS-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP0R8N04HS-G даташит

 ..1. Size:1036K  cn vgsemi
 vsp0r8n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP0R8N04HS-G

VSP0R8N04HS-G 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 0.76 m Enhancement mode I D(Package Limited) 200 A Ultra low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing VSP0R8N04HS-G PDF

Другие IGBT... VSP002N03MST-G, VSP003N04HS-G, VSP003N04MS-G, VSP003N04MST-G, VSP005N03MS, VSP007N04MS-G, VSP008C03MD, VSP040C04MD, AO4468, VSP1R1N04HS-G, VSP1R4N04HS-G, JCS740VC, JCS740RC, JCS740SC, JCS740BC, JCS740CC, JCS740FC