Справочник MOSFET. VSP0R8N04HS-G

 

VSP0R8N04HS-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSP0R8N04HS-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2535 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для VSP0R8N04HS-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP0R8N04HS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1036K  cn vgsemi
 vsp0r8n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP0R8N04HS-G

VSP0R8N04HS-G40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.76 m Enhancement modeI D(Package Limited) 200 A Ultra low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVSP0R8N04HS-G PDF

Другие MOSFET... VSP002N03MST-G , VSP003N04HS-G , VSP003N04MS-G , VSP003N04MST-G , VSP005N03MS , VSP007N04MS-G , VSP008C03MD , VSP040C04MD , IRFP064N , VSP1R1N04HS-G , VSP1R4N04HS-G , JCS740VC , JCS740RC , JCS740SC , JCS740BC , JCS740CC , JCS740FC .

History: AP9565AGH-HF | DMC1229UFDB | UP9971L-D08-T | AFN4997 | SUD45P03-10 | DMP57D5UFB

 

 
Back to Top

 


 
.