VSP1R1N04HS-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSP1R1N04HS-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2055 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm

Encapsulados: PDFN5060X

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VSP1R1N04HS-G datasheet

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VSP1R1N04HS-G

VSP1R1N04HS-G 40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 1.2 m Enhancement mode I D(Package Limited) 60 A Very low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5060X Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing VSP1R1N04HS-G PDFN5

 9.1. Size:1043K  cn vgsemi
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VSP1R1N04HS-G

VSP1R4N04HS-G 40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 1.4 m Enhancement mode I D(Package Limited) 60 A Low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS Technology PDFN5060X 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing

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