VSP1R1N04HS-G Todos los transistores

 

VSP1R1N04HS-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSP1R1N04HS-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2055 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060X
 

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VSP1R1N04HS-G Datasheet (PDF)

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VSP1R1N04HS-G

VSP1R1N04HS-G40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.2 m Enhancement modeI D(Package Limited) 60 A Very low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5060X Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVSP1R1N04HS-G PDFN5

 9.1. Size:1043K  cn vgsemi
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VSP1R1N04HS-G

VSP1R4N04HS-G40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.4 m Enhancement modeI D(Package Limited) 60 A Low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS TechnologyPDFN5060X 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking Packing

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History: BRCS120P04ZC | SML80J25F | MTP2N35

 

 
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