Справочник MOSFET. VSP1R1N04HS-G

 

VSP1R1N04HS-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VSP1R1N04HS-G
   Маркировка: 1R1N04H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 71 nC
   trⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2055 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060X

 Аналог (замена) для VSP1R1N04HS-G

 

 

VSP1R1N04HS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1404K  cn vgsemi
 vsp1r1n04hs-g.pdf

VSP1R1N04HS-G VSP1R1N04HS-G

VSP1R1N04HS-G40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.2 m Enhancement modeI D(Package Limited) 60 A Very low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5060X Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVSP1R1N04HS-G PDFN5

 9.1. Size:1043K  cn vgsemi
 vsp1r4n04hs-g.pdf

VSP1R1N04HS-G VSP1R1N04HS-G

VSP1R4N04HS-G40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.4 m Enhancement modeI D(Package Limited) 60 A Low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS TechnologyPDFN5060X 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking Packing

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top