VSP1R4N04HS-G Todos los transistores

 

VSP1R4N04HS-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSP1R4N04HS-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060X
 

 Búsqueda de reemplazo de VSP1R4N04HS-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VSP1R4N04HS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1043K  cn vgsemi
 vsp1r4n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP1R4N04HS-G

VSP1R4N04HS-G40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.4 m Enhancement modeI D(Package Limited) 60 A Low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS TechnologyPDFN5060X 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking Packing

 9.1. Size:1404K  cn vgsemi
 vsp1r1n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP1R4N04HS-G

VSP1R1N04HS-G40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.2 m Enhancement modeI D(Package Limited) 60 A Very low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5060X Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVSP1R1N04HS-G PDFN5

Otros transistores... VSP003N04MS-G , VSP003N04MST-G , VSP005N03MS , VSP007N04MS-G , VSP008C03MD , VSP040C04MD , VSP0R8N04HS-G , VSP1R1N04HS-G , IRFZ44N , JCS740VC , JCS740RC , JCS740SC , JCS740BC , JCS740CC , JCS740FC , FTP11N08A , JY09M .

History: UPA1900 | AP03N90I-HF

 

 
Back to Top

 


 
.