Справочник MOSFET. VSP1R4N04HS-G

 

VSP1R4N04HS-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSP1R4N04HS-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060X
 

 Аналог (замена) для VSP1R4N04HS-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP1R4N04HS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1043K  cn vgsemi
 vsp1r4n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP1R4N04HS-G

VSP1R4N04HS-G40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.4 m Enhancement modeI D(Package Limited) 60 A Low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS TechnologyPDFN5060X 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking Packing

 9.1. Size:1404K  cn vgsemi
 vsp1r1n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP1R4N04HS-G

VSP1R1N04HS-G40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.2 m Enhancement modeI D(Package Limited) 60 A Very low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5060X Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVSP1R1N04HS-G PDFN5

Другие MOSFET... VSP003N04MS-G , VSP003N04MST-G , VSP005N03MS , VSP007N04MS-G , VSP008C03MD , VSP040C04MD , VSP0R8N04HS-G , VSP1R1N04HS-G , IRFZ44N , JCS740VC , JCS740RC , JCS740SC , JCS740BC , JCS740CC , JCS740FC , FTP11N08A , JY09M .

History: BRCS120N03ZJ | MTP3J15N3 | MMQ60R190PTH | IXTT80N20L | BRCS300P016MC | NVMFS5C670NL | MPVA20N50F

 

 
Back to Top

 


 
.