VSP1R4N04HS-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSP1R4N04HS-G

Маркировка: 1R4N04H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060X

Аналог (замена) для VSP1R4N04HS-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP1R4N04HS-G даташит

 ..1. Size:1043K  cn vgsemi
 vsp1r4n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP1R4N04HS-G

VSP1R4N04HS-G 40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 1.4 m Enhancement mode I D(Package Limited) 60 A Low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS Technology PDFN5060X 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing

 9.1. Size:1404K  cn vgsemi
 vsp1r1n04hs-g.pdf pdf_icon

VSP1R4N04HS-G

VSP1R1N04HS-G 40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 1.2 m Enhancement mode I D(Package Limited) 60 A Very low on-resistance VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5060X Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing VSP1R1N04HS-G PDFN5

Другие IGBT... VSP003N04MS-G, VSP003N04MST-G, VSP005N03MS, VSP007N04MS-G, VSP008C03MD, VSP040C04MD, VSP0R8N04HS-G, VSP1R1N04HS-G, IRFZ44N, JCS740VC, JCS740RC, JCS740SC, JCS740BC, JCS740CC, JCS740FC, FTP11N08A, JY09M