ME100N03T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME100N03T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 178 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 172 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 135 nC
Tiempo de subida (tr): 19.7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 831 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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ME100N03T Datasheet (PDF)
..1. Size:1112K matsuki electric
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ME100N03T /ME100N03T-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME100N03T-G is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)3m@VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is especially Exceptional on-resistance
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