Справочник MOSFET. ME100N03T

 

ME100N03T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME100N03T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 172 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 831 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для ME100N03T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME100N03T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1112K  matsuki electric
 me100n03t me100n03t-g.pdf pdf_icon

ME100N03T

ME100N03T /ME100N03T-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME100N03T-G is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)3m@VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is especially Exceptional on-resistance

Другие MOSFET... JCS740VC , JCS740RC , JCS740SC , JCS740BC , JCS740CC , JCS740FC , FTP11N08A , JY09M , IRFZ44 , ME100N03T-G , ME120N04T , ME1302AT3 , ME1302AT3-G , ME1303AT3 , ME1303AT3-G , ME13N10A , ME13N10A-G .

History: UTT18P10 | AFN8988

 

 
Back to Top

 


 
.