ME100N03T-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME100N03T-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 172 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 831 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO220

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ME100N03T-G datasheet

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ME100N03T-G

ME100N03T /ME100N03T-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME100N03T-G is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 3m @VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is especially Exceptional on-resistance

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