Справочник MOSFET. ME100N03T-G

 

ME100N03T-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME100N03T-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 172 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 831 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME100N03T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1112K  matsuki electric
 me100n03t me100n03t-g.pdf pdf_icon

ME100N03T-G

ME100N03T /ME100N03T-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME100N03T-G is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)3m@VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is especially Exceptional on-resistance

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STP23NM60ND | 2N6760JANTXV | RU7550S | STP20NM60FP | 2SK3296 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.