ME100N03T-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME100N03T-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 172 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 831 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для ME100N03T-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME100N03T-G даташит

 ..1. Size:1112K  matsuki electric
 me100n03t me100n03t-g.pdf pdf_icon

ME100N03T-G

ME100N03T /ME100N03T-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME100N03T-G is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 3m @VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is especially Exceptional on-resistance

Другие IGBT... JCS740RC, JCS740SC, JCS740BC, JCS740CC, JCS740FC, FTP11N08A, JY09M, ME100N03T, IRF640, ME120N04T, ME1302AT3, ME1302AT3-G, ME1303AT3, ME1303AT3-G, ME13N10A, ME13N10A-G, ME15N25