ME120N04T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME120N04T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.8 V
   Carga de la puerta (Qg): 116 nC
   Tiempo de subida (tr): 49.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 516 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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ME120N04T Datasheet (PDF)

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me120n04t.pdf

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8.1. Size:1399K matsuki electric
me120n10t me120n10t-g.pdf

ME120N10T/ME120N10T-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.0m@VGS=10V The ME120N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

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Liste

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