ME120N04T Todos los transistores

 

ME120N04T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME120N04T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 516 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME120N04T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1428K  matsuki electric
 me120n04t.pdf pdf_icon

ME120N04T

ME120N04T N-Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)4m@VGS=10V The ME120N04T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high density process i

 8.1. Size:1399K  matsuki electric
 me120n10t me120n10t-g.pdf pdf_icon

ME120N04T

ME120N10T/ME120N10T-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.0m@VGS=10V The ME120N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

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History: NTMFS4925NT1G | 2SJ152 | VS3620DP-G

 

 
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