ME120N04T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME120N04T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 516 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO220

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ME120N04T datasheet

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ME120N04T

ME120N04T N-Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 4m @VGS=10V The ME120N04T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high density process i

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ME120N04T

ME120N10T/ME120N10T-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 5.0m @VGS=10V The ME120N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

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