Справочник MOSFET. ME120N04T

 

ME120N04T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME120N04T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 516 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для ME120N04T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME120N04T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1428K  matsuki electric
 me120n04t.pdf pdf_icon

ME120N04T

ME120N04T N-Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)4m@VGS=10V The ME120N04T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high density process i

 8.1. Size:1399K  matsuki electric
 me120n10t me120n10t-g.pdf pdf_icon

ME120N04T

ME120N10T/ME120N10T-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.0m@VGS=10V The ME120N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

Другие MOSFET... JCS740SC , JCS740BC , JCS740CC , JCS740FC , FTP11N08A , JY09M , ME100N03T , ME100N03T-G , IRF1404 , ME1302AT3 , ME1302AT3-G , ME1303AT3 , ME1303AT3-G , ME13N10A , ME13N10A-G , ME15N25 , ME15N25F .

 

 
Back to Top

 


 
.