ME120N04T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME120N04T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 516 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для ME120N04T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME120N04T даташит

 ..1. Size:1428K  matsuki electric
 me120n04t.pdf pdf_icon

ME120N04T

ME120N04T N-Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 4m @VGS=10V The ME120N04T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high density process i

 8.1. Size:1399K  matsuki electric
 me120n10t me120n10t-g.pdf pdf_icon

ME120N04T

ME120N10T/ME120N10T-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 5.0m @VGS=10V The ME120N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

Другие IGBT... JCS740SC, JCS740BC, JCS740CC, JCS740FC, FTP11N08A, JY09M, ME100N03T, ME100N03T-G, IRF1404, ME1302AT3, ME1302AT3-G, ME1303AT3, ME1303AT3-G, ME13N10A, ME13N10A-G, ME15N25, ME15N25F