ME13N10A-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME13N10A-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de ME13N10A-G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ME13N10A-G datasheet

 ..1. Size:1086K  matsuki electric
 me13n10a me13n10a-g.pdf pdf_icon

ME13N10A-G

ME13N10A/ME13N10A-G N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME13N10A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 145m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-res

Otros transistores... ME100N03T, ME100N03T-G, ME120N04T, ME1302AT3, ME1302AT3-G, ME1303AT3, ME1303AT3-G, ME13N10A, IRFB4227, ME15N25, ME15N25F, ME15N25F-G, ME15N25-G, ME200N04T, ME200N04T-G, ME20N10-G, ME20N15F