ME13N10A-G Todos los transistores

 

ME13N10A-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME13N10A-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME13N10A-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1086K  matsuki electric
 me13n10a me13n10a-g.pdf pdf_icon

ME13N10A-G

ME13N10A/ME13N10A-G N- Channel 100V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME13N10A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 145m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-res

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE65N180V | NCEAP40T17AD | WSD2012DN25 | STK28N3LLH5 | IRF7103PBF | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C

 

 
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