ME13N10A-G Todos los transistores

 

ME13N10A-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME13N10A-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ME13N10A-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1086K  matsuki electric
 me13n10a me13n10a-g.pdf pdf_icon

ME13N10A-G

ME13N10A/ME13N10A-G N- Channel 100V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME13N10A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 145m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-res

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History: AOTL66912 | AP6P090J | AM90P10-60B | 7N80G-TA3-T | MDHT3N40URH | HSS2300A | TMPF8N25Z

 

 
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