Справочник MOSFET. ME13N10A-G

 

ME13N10A-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME13N10A-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ME13N10A-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME13N10A-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1086K  matsuki electric
 me13n10a me13n10a-g.pdf pdf_icon

ME13N10A-G

ME13N10A/ME13N10A-G N- Channel 100V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME13N10A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 145m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-res

Другие MOSFET... ME100N03T , ME100N03T-G , ME120N04T , ME1302AT3 , ME1302AT3-G , ME1303AT3 , ME1303AT3-G , ME13N10A , AON6414A , ME15N25 , ME15N25F , ME15N25F-G , ME15N25-G , ME200N04T , ME200N04T-G , ME20N10-G , ME20N15F .

History: FQB4N50TM | HGP115N15S | 2SK2257 | 18N20 | CS150N04A8 | AP20N15AGH | SI1050X

 

 
Back to Top

 


 
.