Справочник MOSFET. ME13N10A-G

 

ME13N10A-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME13N10A-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME13N10A-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1086K  matsuki electric
 me13n10a me13n10a-g.pdf pdf_icon

ME13N10A-G

ME13N10A/ME13N10A-G N- Channel 100V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME13N10A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 145m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-res

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK3776-01 | FIR12N60FG | PHB152NQ03LTA | PMN30UNE | 2SK2294 | SDF320JDA | MPSA65M180CFD

 

 
Back to Top

 


 
.