Справочник MOSFET. ME13N10A-G

 

ME13N10A-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME13N10A-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 16.4 nC
   Время нарастания (tr): 10.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 55 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.145 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для ME13N10A-G

 

 

ME13N10A-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1086K  matsuki electric
 me13n10a me13n10a-g.pdf

ME13N10A-G ME13N10A-G

ME13N10A/ME13N10A-G N- Channel 100V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME13N10A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 145m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-res

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top