ME13N10A-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME13N10A-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME13N10A-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME13N10A-G даташит

 ..1. Size:1086K  matsuki electric
 me13n10a me13n10a-g.pdf pdf_icon

ME13N10A-G

ME13N10A/ME13N10A-G N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME13N10A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 145m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-res

Другие IGBT... ME100N03T, ME100N03T-G, ME120N04T, ME1302AT3, ME1302AT3-G, ME1303AT3, ME1303AT3-G, ME13N10A, IRFB4227, ME15N25, ME15N25F, ME15N25F-G, ME15N25-G, ME200N04T, ME200N04T-G, ME20N10-G, ME20N15F