ME200N04T-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME200N04T-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 189 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 767 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1242 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO220

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ME200N04T-G datasheet

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ME200N04T-G

ME200N04T / ME200N04T-G N- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 3.5m @VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.7m @VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

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