ME200N04T-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME200N04T-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 189 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 137 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 767 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1242 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME200N04T-G
ME200N04T-G Datasheet (PDF)
me200n04t me200n04t-g.pdf
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Liste
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