ME200N04T-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME200N04T-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 189 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 767 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1242 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для ME200N04T-G
ME200N04T-G Datasheet (PDF)
me200n04t me200n04t-g.pdf

ME200N04T / ME200N04T-GN- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.5m@VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.7m@VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec
Другие MOSFET... ME1303AT3-G , ME13N10A , ME13N10A-G , ME15N25 , ME15N25F , ME15N25F-G , ME15N25-G , ME200N04T , IRFB4115 , ME20N10-G , ME20N15F , ME2301A , ME2301A-G , ME2301DC , ME2301DC-G , ME2301DN , ME2301DN-G .
History: MTH8N60 | WMB017N03LG2 | FHP100N03B | IRF3711L | ME35N06 | NDFPD1N150C | HSBA0139
History: MTH8N60 | WMB017N03LG2 | FHP100N03B | IRF3711L | ME35N06 | NDFPD1N150C | HSBA0139



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41