ME200N04T-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME200N04T-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 189 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 767 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1242 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для ME200N04T-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME200N04T-G даташит

 ..1. Size:759K  matsuki electric
 me200n04t me200n04t-g.pdf pdf_icon

ME200N04T-G

ME200N04T / ME200N04T-G N- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 3.5m @VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.7m @VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

Другие IGBT... ME1303AT3-G, ME13N10A, ME13N10A-G, ME15N25, ME15N25F, ME15N25F-G, ME15N25-G, ME200N04T, P55NF06, ME20N10-G, ME20N15F, ME2301A, ME2301A-G, ME2301DC, ME2301DC-G, ME2301DN, ME2301DN-G