Справочник MOSFET. ME200N04T-G

 

ME200N04T-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME200N04T-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 189 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 767 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1242 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для ME200N04T-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME200N04T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:759K  matsuki electric
 me200n04t me200n04t-g.pdf pdf_icon

ME200N04T-G

ME200N04T / ME200N04T-GN- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.5m@VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.7m@VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

Другие MOSFET... ME1303AT3-G , ME13N10A , ME13N10A-G , ME15N25 , ME15N25F , ME15N25F-G , ME15N25-G , ME200N04T , IRFB4115 , ME20N10-G , ME20N15F , ME2301A , ME2301A-G , ME2301DC , ME2301DC-G , ME2301DN , ME2301DN-G .

History: MTH8N60 | WMB017N03LG2 | FHP100N03B | IRF3711L | ME35N06 | NDFPD1N150C | HSBA0139

 

 
Back to Top

 


 
.