ME2355AN-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME2355AN-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.102 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

 Búsqueda de reemplazo de ME2355AN-G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ME2355AN-G datasheet

 ..1. Size:762K  matsuki electric
 me2355an me2355an-g.pdf pdf_icon

ME2355AN-G

Preliminary-ME2355AN/ME2355AN-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2355AN is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 102m @VGS=-4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 132m @VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 158m @VGS=-1.8V minimize on-

Otros transistores... ME2320DS-G, ME2324D, ME2324D-G, ME2325S, ME2325S-G, ME2345AS, ME2345AS-G, ME2355AN, 2N60, ME25N15AL, ME25N15AL-G, ME2606, ME2606-G, ME2614, ME2614-G, ME2620-G, ME3205F