ME2355AN-G Todos los transistores

 

ME2355AN-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2355AN-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.102 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
 

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ME2355AN-G Datasheet (PDF)

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 me2355an me2355an-g.pdf pdf_icon

ME2355AN-G

Preliminary-ME2355AN/ME2355AN-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME2355AN is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)102m@VGS=-4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON)132m@VGS=-2.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)158m@VGS=-1.8Vminimize on-

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History: STP16NF25 | SM8A01NSF | SKI03021 | SIA923AEDJ | IRFS130 | FTD04N60A | STP85NF55L

 

 
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