ME2355AN-G Todos los transistores

 

ME2355AN-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2355AN-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.102 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
 

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ME2355AN-G Datasheet (PDF)

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 me2355an me2355an-g.pdf pdf_icon

ME2355AN-G

Preliminary-ME2355AN/ME2355AN-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME2355AN is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)102m@VGS=-4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON)132m@VGS=-2.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)158m@VGS=-1.8Vminimize on-

Otros transistores... ME2320DS-G , ME2324D , ME2324D-G , ME2325S , ME2325S-G , ME2345AS , ME2345AS-G , ME2355AN , IRF830 , ME25N15AL , ME25N15AL-G , ME2606 , ME2606-G , ME2614 , ME2614-G , ME2620-G , ME3205F .

History: KNP6165A | GPT18N50GN3P | FQB13N06TM | NTMFS4835N | RD3L140SP | STB23NM60ND | 5N50L-T2Q-T

 

 
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