ME2355AN-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME2355AN-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME2355AN-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для ME2355AN-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2355AN-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  matsuki electric
 me2355an me2355an-g.pdf pdf_icon

ME2355AN-G

Preliminary-ME2355AN/ME2355AN-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME2355AN is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)102m@VGS=-4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON)132m@VGS=-2.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)158m@VGS=-1.8Vminimize on-

Другие MOSFET... ME2320DS-G , ME2324D , ME2324D-G , ME2325S , ME2325S-G , ME2345AS , ME2345AS-G , ME2355AN , IRF830 , ME25N15AL , ME25N15AL-G , ME2606 , ME2606-G , ME2614 , ME2614-G , ME2620-G , ME3205F .

History: CSD16415Q5

 

 
Back to Top

 


 
.