Справочник MOSFET. ME2355AN-G

 

ME2355AN-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME2355AN-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L

 Аналог (замена) для ME2355AN-G

 

 

ME2355AN-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  matsuki electric
 me2355an me2355an-g.pdf

ME2355AN-G ME2355AN-G

Preliminary-ME2355AN/ME2355AN-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME2355AN is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)102m@VGS=-4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON)132m@VGS=-2.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)158m@VGS=-1.8Vminimize on-

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top