ME2355AN-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME2355AN-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для ME2355AN-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2355AN-G даташит

 ..1. Size:762K  matsuki electric
 me2355an me2355an-g.pdf pdf_icon

ME2355AN-G

Preliminary-ME2355AN/ME2355AN-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2355AN is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 102m @VGS=-4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 132m @VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 158m @VGS=-1.8V minimize on-

Другие IGBT... ME2320DS-G, ME2324D, ME2324D-G, ME2325S, ME2325S-G, ME2345AS, ME2345AS-G, ME2355AN, 2N60, ME25N15AL, ME25N15AL-G, ME2606, ME2606-G, ME2614, ME2614-G, ME2620-G, ME3205F