ME25N15AL MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

ME25N15AL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME25N15AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm

Encapsulados: TO252

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ME25N15AL datasheet

..1. Size:2213K matsuki electric
me25n15al me25n15al-g.pdf pdf_icon

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9.1. Size:1175K matsuki electric
me25n06 me25n06-g.pdf pdf_icon

ME25N06/ME25N06-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 62m @VGS=10V The ME25N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 86m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored

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