ME25N15AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME25N15AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 51.2 nC
Время нарастания (tr): 15.8 ns
Выходная емкость (Cd): 102 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.078 Ohm
Тип корпуса: TO252
ME25N15AL Datasheet (PDF)
me25n15al me25n15al-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r
me25n06 me25n06-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME25N06/ME25N06-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)62m@VGS=10VThe ME25N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)86m@VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .