ME25N15AL-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME25N15AL-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 89.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 22.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 51.2 nC
Tiempo de subida (tr): 15.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 102 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.078 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME25N15AL-G
ME25N15AL-G Datasheet (PDF)
me25n15al me25n15al-g.pdf
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ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r
me25n06 me25n06-g.pdf
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ME25N06/ME25N06-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)62m@VGS=10VThe ME25N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)86m@VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored
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