Справочник MOSFET. ME25N15AL-G

 

ME25N15AL-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME25N15AL-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ME25N15AL-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME25N15AL-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2213K  matsuki electric
 me25n15al me25n15al-g.pdf pdf_icon

ME25N15AL-G

ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r

 9.1. Size:1175K  matsuki electric
 me25n06 me25n06-g.pdf pdf_icon

ME25N15AL-G

ME25N06/ME25N06-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)62m@VGS=10VThe ME25N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)86m@VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored

Другие MOSFET... ME2324D-G , ME2325S , ME2325S-G , ME2345AS , ME2345AS-G , ME2355AN , ME2355AN-G , ME25N15AL , AO3401 , ME2606 , ME2606-G , ME2614 , ME2614-G , ME2620-G , ME3205F , ME3205F-G , ME3205H-G .

History: STP15N95K5 | WMO10N105C2 | SFR9024TM | JCS24N50ABH | WML9N90D1B | SI3812DV | SSSF11NS65UF

 

 
Back to Top

 


 
.