ME25N15AL-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME25N15AL-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME25N15AL-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME25N15AL-G даташит

 ..1. Size:2213K  matsuki electric
 me25n15al me25n15al-g.pdf pdf_icon

ME25N15AL-G

ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r

 9.1. Size:1175K  matsuki electric
 me25n06 me25n06-g.pdf pdf_icon

ME25N15AL-G

ME25N06/ME25N06-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 62m @VGS=10V The ME25N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 86m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored

Другие IGBT... ME2324D-G, ME2325S, ME2325S-G, ME2345AS, ME2345AS-G, ME2355AN, ME2355AN-G, ME25N15AL, P60NF06, ME2606, ME2606-G, ME2614, ME2614-G, ME2620-G, ME3205F, ME3205F-G, ME3205H-G