ME2614-G Todos los transistores

 

ME2614-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2614-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.166 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME2614-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  matsuki electric
 me2614 me2614-g.pdf pdf_icon

ME2614-G

ME2614/ME2614-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2614 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)166m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)213m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

 9.1. Size:983K  matsuki electric
 me2612 me2612-g.pdf pdf_icon

ME2614-G

ME2612/ME2612-G N-Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)375m@VGS=10V The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)390m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially ta

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History: TMP3N50AZ | NCE65N1K2K | BUK7C10-75AITE | JCS18N25FC | 7N80G-TQ2-T

 

 
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