Справочник MOSFET. ME2614-G

 

ME2614-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME2614-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.166 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для ME2614-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2614-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  matsuki electric
 me2614 me2614-g.pdf pdf_icon

ME2614-G

ME2614/ME2614-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2614 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)166m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)213m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

 9.1. Size:983K  matsuki electric
 me2612 me2612-g.pdf pdf_icon

ME2614-G

ME2612/ME2612-G N-Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)375m@VGS=10V The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)390m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially ta

Другие MOSFET... ME2345AS-G , ME2355AN , ME2355AN-G , ME25N15AL , ME25N15AL-G , ME2606 , ME2606-G , ME2614 , IRFZ48N , ME2620-G , ME3205F , ME3205F-G , ME3205H-G , ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G .

History: IRF830LPBF | ST3400S23RG

 

 
Back to Top

 


 
.