ME2620-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME2620-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.756 Ohm

Encapsulados: SOT223

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ME2620-G datasheet

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ME2620-G

ME2620-G N-Channel 200-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 756m @VGS=10V The ME2620-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especially

Otros transistores... ME2355AN, ME2355AN-G, ME25N15AL, ME25N15AL-G, ME2606, ME2606-G, ME2614, ME2614-G, IRF1405, ME3205F, ME3205F-G, ME3205H-G, ME3424D, ME3424D-G, ME3443, ME3443-G, ME3449D