ME2620-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME2620-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 14.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 21.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 27 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.756 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME2620-G

ME2620-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1560K matsuki electric
me2620-g.pdf

ME2620-G N-Channel 200-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)756m@VGS=10VThe ME2620-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON)field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC currenttechnology. This high density process is especially

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: