ME2620-G Todos los transistores

 

ME2620-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2620-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.756 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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ME2620-G Datasheet (PDF)

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ME2620-G

ME2620-G N-Channel 200-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)756m@VGS=10VThe ME2620-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON)field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC currenttechnology. This high density process is especially

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History: STD1NK80Z-1 | BLM9435 | BL10N60A-A | RFD3055LESM | TPA60R600MFD | SSPS922NE | NP80N04DHE

 

 
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