ME2620-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME2620-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME2620-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.756 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для ME2620-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2620-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1560K  matsuki electric
 me2620-g.pdf pdf_icon

ME2620-G

ME2620-G N-Channel 200-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)756m@VGS=10VThe ME2620-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON)field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC currenttechnology. This high density process is especially

Другие MOSFET... ME2355AN , ME2355AN-G , ME25N15AL , ME25N15AL-G , ME2606 , ME2606-G , ME2614 , ME2614-G , IRF9640 , ME3205F , ME3205F-G , ME3205H-G , ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , ME3449D .

History: IXFH36N60P | NP100N055PDH | FDAF62N28 | PSMN6R0-25YLB | BRCS120N10SZC | SI8402DB | VSP1R4N04HS-G

 

 
Back to Top

 


 
.