ME2620-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME2620-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.756 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для ME2620-G
ME2620-G Datasheet (PDF)
me2620-g.pdf

ME2620-G N-Channel 200-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)756m@VGS=10VThe ME2620-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON)field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC currenttechnology. This high density process is especially
Другие MOSFET... ME2355AN , ME2355AN-G , ME25N15AL , ME25N15AL-G , ME2606 , ME2606-G , ME2614 , ME2614-G , NCEP15T14 , ME3205F , ME3205F-G , ME3205H-G , ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , ME3449D .
History: FCB099N65S3 | RQ1E070RP | AOC2417 | ME2306DS | 2310 | GSM4435 | NP48N055NLE
History: FCB099N65S3 | RQ1E070RP | AOC2417 | ME2306DS | 2310 | GSM4435 | NP48N055NLE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor