ME2620-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME2620-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.756 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ME2620-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2620-G даташит

 ..1. Size:1560K  matsuki electric
 me2620-g.pdf pdf_icon

ME2620-G

ME2620-G N-Channel 200-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 756m @VGS=10V The ME2620-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especially

Другие IGBT... ME2355AN, ME2355AN-G, ME25N15AL, ME25N15AL-G, ME2606, ME2606-G, ME2614, ME2614-G, IRF1405, ME3205F, ME3205F-G, ME3205H-G, ME3424D, ME3424D-G, ME3443, ME3443-G, ME3449D