ME3424D-G Todos los transistores

 

ME3424D-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME3424D-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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ME3424D-G Datasheet (PDF)

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 me3424d me3424d-g.pdf pdf_icon

ME3424D-G

ME3424D/ME3424D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)28m@VGS=10V The ME3424D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)42m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ESD Protected trench technology. This high density process is especially tailored to Super high

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History: NCE2008E | WMP15N65C2 | STP170N8F7 | FS10ASJ-3 | SST80R600S2 | IPI120N10S4-03 | MTP12P05

 

 
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