Справочник MOSFET. ME3424D-G

 

ME3424D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME3424D-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для ME3424D-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3424D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:821K  matsuki electric
 me3424d me3424d-g.pdf pdf_icon

ME3424D-G

ME3424D/ME3424D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)28m@VGS=10V The ME3424D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)42m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ESD Protected trench technology. This high density process is especially tailored to Super high

Другие MOSFET... ME2606-G , ME2614 , ME2614-G , ME2620-G , ME3205F , ME3205F-G , ME3205H-G , ME3424D , 60N06 , ME3443 , ME3443-G , ME3449D , ME3449D-G , ME3483 , ME3483-G , ME3920D , ME3920D-G .

History: APTC90DAM60CT1G | NCE50N1K8K | HSM3056 | 7N65Z | FQB12N50TMAM002 | HIRFZ24NP | APT10035B2FLL

 

 
Back to Top

 


 
.