ME3424D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME3424D-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для ME3424D-G
ME3424D-G Datasheet (PDF)
me3424d me3424d-g.pdf

ME3424D/ME3424D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)28m@VGS=10V The ME3424D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)42m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ESD Protected trench technology. This high density process is especially tailored to Super high
Другие MOSFET... ME2606-G , ME2614 , ME2614-G , ME2620-G , ME3205F , ME3205F-G , ME3205H-G , ME3424D , 60N06 , ME3443 , ME3443-G , ME3449D , ME3449D-G , ME3483 , ME3483-G , ME3920D , ME3920D-G .
History: APTC90DAM60CT1G | NCE50N1K8K | HSM3056 | 7N65Z | FQB12N50TMAM002 | HIRFZ24NP | APT10035B2FLL
History: APTC90DAM60CT1G | NCE50N1K8K | HSM3056 | 7N65Z | FQB12N50TMAM002 | HIRFZ24NP | APT10035B2FLL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60