ME3424D-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME3424D-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для ME3424D-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3424D-G даташит

 ..1. Size:821K  matsuki electric
 me3424d me3424d-g.pdf pdf_icon

ME3424D-G

ME3424D/ME3424D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 28m @VGS=10V The ME3424D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 42m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ESD Protected trench technology. This high density process is especially tailored to Super high

Другие IGBT... ME2606-G, ME2614, ME2614-G, ME2620-G, ME3205F, ME3205F-G, ME3205H-G, ME3424D, IRLB3034, ME3443, ME3443-G, ME3449D, ME3449D-G, ME3483, ME3483-G, ME3920D, ME3920D-G