ME3449D-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME3449D-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 21 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 77 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

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ME3449D-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1549K matsuki electric
me3449d me3449d-g.pdf

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9.1. Size:761K matsuki electric
me3443 me3443-g.pdf

ME3443/ME3443-G P-Channel 2.5V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES -20V/-4.7A,RDS(ON)=65m@VGS=-4.5V The ME3443 is the P-Channel logic enhancement mode power field -20V/-3.7A,RDS(ON)=85m@VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density proc

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Liste

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